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製品情報

最先端の結晶制御技術・表面加工技術で、これからのデバイスニーズに対応

半導体デバイスの高度化を受け、それに使われるシリコンウェーハもまた、より高品質でより多岐にわたる品質仕様が求められています。こうしたニーズの高度化、多様化を踏まえ、よりお客様の要望にかなうようさまざまなシリコン製品を用意しています。
また、この要望を実現するため、素材である多結晶シリコンの厳選はもちろんのこと、単結晶シリコンの製造段階において、独自に開発した結晶制御技術を駆使し、単結晶段階からより均質で品質特性に優れたシリコンインゴットの製造を実現しています。

この単結晶から加工した各種シリコンウェーハは、それぞれのウェーハがもつ特徴を最大限に発揮できるよう、これまで培ってきた技術ノウハウと刻々と進化する先進技術との高度な調和によって、的確にお客様のニーズにマッチした製品を提供することでお客様の歩留まり向上に貢献しています。

エピタキシャル・ウェーハ

ポリッシュド・ウェーハ（基盤を）エピ炉内で、高周波または赤外線で加熱し、その表面にシリコン層を気相成長（抵抗率は基板と異なる）させたウェーハです。
用途
パワーMOS-FET、IGBT、ショットキーダイオード、CPU、MPU、CCD、フラッシュメモリー
 

ウェーハ径と製品レンジ

通常品のほか、更に品質特性を高めた商品やコストパフォーマンスに優れた商品等の設定があります。

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

アニールド・ウェーハ

先進のアニール製法によりウェーハ表層の完全性を高めたものです。デバイスプロセス初期から働く強力なゲッタリング作用を発揮します。
用途
フラッシュメモリー、DRAM、M/ROM、SRAM、各種ロジック
 

ウェーハ径と製品レンジ

水素アニールとアルゴンアニール”の2種類があります。

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

ポリッシュド・ウェーハ

エッチドウェーハを研磨砥粒液を使用してケミカルーメカニカル・ポリッシュして製造したものです。
用途
MOS-IC、ハイポーラIC、CCD、各種メモリー
 

ウェーハ径と製品レンジ

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

ディフューズド・ウェーハ

抵抗率の異なる二重層に仕上げたものです。当社製品は拡散層（Xj）と非拡散層（Xi）の深さの精度と均一性が高く、かつ表・側・裏面の寸法精度、清浄度が高いことで広くユーザーから高い評価を得ています。
用途
パワートランジスタ、MOS-FET
 

ウェーハ径と製品レンジ

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

エッチド・ウェーハ

ラップド・ウェーハに、化学的方法で表面処理を施したものです。
用途
ダイオード、パワートランジスタ、
サイリスタ
 

ウェーハ径と製品レンジ

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

ラップド・ウェーハ

スライスド・ウェーハを、砥粒で研磨したものです。
用途
ダイオード、パワートランジスタ、
サイリスタ
 

ウェーハ径と製品レンジ

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。

スライスド・ウェーハ

インゴットを内周式ダイヤモンド・ブレードまたはワイヤソーによって薄い円盤状に切断したものです。
用途
ダイオード
 

ウェーハ径と製品レンジ

上記の表は、直径別の商品構成を目安として図表化したものです。
シリコンウェーハ商品は、上記の表にかかわらず予告なく変更する場合があります。